了解MOS管的參數(shù)！

我們在選擇和使用MOS管時先要了解管子的參數(shù)，具體參數(shù)合芯半導體在規(guī)格書上都有標注。

最大額定參數(shù) 

MOS管的最大額定參數(shù)，一切數(shù)值取得條件(Ta=25℃)

VDSS 最大漏-源電壓 

在柵源短接，漏-源額定電壓(VDSS)是指漏-源未發(fā)作雪崩擊穿前所能施加的最大電壓。依據(jù)溫度的不同，雪崩擊穿電壓或許低于額定VDSS。關于V(BR)DSS的詳細描述請參見靜電學特性。

VGS 最大柵源電壓 

VGS額定電壓是柵源極間能夠施加的最大電壓。設定該額定電壓的主要意圖是防止電壓過高導致的柵極氧化層損傷。柵氧化層可接受的電壓遠高于額定電壓，可是會隨制造工藝的不同而改變，因而堅持VGS在額定電壓以內能夠確保使用的可靠性。

ID - 持續(xù)漏電流 

ID指為芯片在最大額定結溫TJ(max)下，管表面溫度在25℃或許更高溫度下，可答應的最大接連直流電流。該參數(shù)為結與管殼之間額定熱阻RθJC和管殼溫度的函數(shù)：

ID中并不包含開關損耗，而且實踐使用時堅持管表面溫度在25℃（Tcase）也很難。因而，硬開關使用中實踐開關電流一般小于ID 額定值@ TC = 25℃的一半，一般在1/3～1/4。補充，假如采用熱阻JA的話能夠估算出特定溫度下的ID，這個值更有實際含義。

IDM - 脈沖漏極電流 

該參數(shù)反映了器件能夠處理的脈沖電流的高低，脈沖電流要遠高于接連的直流電流。界說IDM的意圖在于：線的歐姆區(qū)。關于必定的柵-源電壓，MOSFET導通后，存在最大的漏極電流。關于給定的一個柵-源電壓，假如作業(yè)點坐落線性區(qū)域內，漏極電流的增大會進步漏-源電壓，由此增大導通損耗。長期作業(yè)在大功率之下，將導致器件失效。因而，在典型柵極驅動電壓下，需求將額定IDM設定在區(qū)域之下。區(qū)域的分界點在Vgs和曲線相交點。

因而需求設定電流密度上限，防止芯片溫度過高而焚毀。這本質上是為了防止過高電流流經(jīng)封裝引線，由于在某些情況下，整個芯片上最“薄弱的連接”不是芯片，而是封裝引線。

考慮到熱效應關于IDM的約束，溫度的升高依賴于脈沖寬度，脈沖間的時刻間隔，散熱情況，RDS(on)以及脈沖電流的波形和起伏。單純滿意脈沖電流不超出IDM上限并不能確保結溫不超越最大答應值。能夠參考熱性能與機械性能中關于瞬時熱阻的評論，來估計脈沖電流下結溫的情況。

PD - 容許溝道總功耗 

容許溝道總功耗標定了器件能夠散失的最大功耗，能夠表明為最大結溫和管殼溫度為25℃時熱阻的函數(shù)。

TJ, TSTG - 作業(yè)溫度和存儲環(huán)境溫度的規(guī)模 

這兩個參數(shù)標定了器件作業(yè)和存儲環(huán)境所答應的結溫區(qū)間。設定這樣的溫度規(guī)模是為了滿意器件最短作業(yè)壽數(shù)的要求。假如確保器件作業(yè)在這個溫度區(qū)間內，將極大地延伸其作業(yè)壽數(shù)。

EAS - 單脈沖雪崩擊穿能量 

假如電壓過沖值(一般由于漏電流和雜散電感形成)未超越擊穿電壓，則器件不會發(fā)作雪崩擊穿，因而也就不需求散失雪崩擊穿的才能。雪崩擊穿能量標定了器件能夠容忍的瞬時過沖電壓的安全值，其依賴于雪崩擊穿需求散失的能量。界定額定雪崩擊穿能量的器件一般也會界定額定EAS。額定雪崩擊穿能量與額定UIS具有相似的含義。EAS標定了器件能夠安全吸收反向雪崩擊穿能量的高低。

L是電感值，iD為電感上流過的電流峰值，其會突然轉換為測量器件的漏極電流。電感上發(fā)作的電壓超越MOSFET擊穿電壓后，將導致雪崩擊穿。雪崩擊穿發(fā)作時，即使 MOSFET處于關斷狀況，電感上的電流同樣會流過MOSFET器件。電感上所貯存的能量與雜散電感上存儲，由MOSFET散失的能量相似。MOSFET并聯(lián)后，不同器件之間的擊穿電壓很難完全相同。一般情況是：某個器件率先發(fā)作雪崩擊穿，隨后一切的雪崩擊穿電流(能量)都從該器件流過。

EAR - 重復雪崩能量 

重復雪崩能量已經(jīng)成為“工業(yè)規(guī)范”，可是在沒有設定頻率，其它損耗以及冷卻量的情況下，該參數(shù)沒有任何含義。散熱(冷卻)情況常常制約著重復雪崩能量。關于雪崩擊穿所發(fā)作的能量高低也很難猜測。

額定EAR的真實含義在于標定了器件所能接受的反復雪崩擊穿能量。該界說的前提條件是：不對頻率做任何約束，從而器件不會過熱，這關于任何或許發(fā)作雪崩擊穿的器件都是實際的。在驗證器件規(guī)劃的過程中，最好能夠測量處于作業(yè)狀況的器件或許熱沉的溫度，來觀察MOSFET器件是否存在過熱情況，特別是關于或許發(fā)作雪崩擊穿的器件。

IAR - 雪崩擊穿電流 

關于某些器件，雪崩擊穿過程中芯片上電流集邊的傾向要求對雪崩電流IAR進行約束。這樣，雪崩電流變成雪崩擊穿能量標準的“精細闡述”；其提醒了器件真正的才能。

靜態(tài)電特性 

V(BR)DSS：漏-源擊穿電壓(破壞電壓) 

V(BR)DSS（有時候叫做VBDSS）是指在特定的溫度和柵源短接情況下，流過漏極電流到達一個特定值時的漏源電壓。這種情況下的漏源電壓為雪崩擊穿電壓。

V(BR)DSS是正溫度系數(shù)，溫度低時V(BR)DSS小于25℃時的漏源電壓的最大額定值。在-50℃, V(BR)DSS大約是25℃時最大漏源額定電壓的90%。

VGS(th)，VGS(off)：閾值電壓 

VGS(th)是指加的柵源電壓能使漏極開端有電流，或關斷MOSFET時電流消失時的電壓，測驗的條件（漏極電流，漏源電壓，結溫）也是有標準的。正常情況下，一切的MOS柵極器件的閾值電壓都會有所不同。因而，VGS(th)的改變規(guī)模是規(guī)定好的。VGS(th)是負溫度系數(shù)，當溫度上升時，MOSFET將會在比較低的柵源電壓下開啟。

RDS(on)：導通電阻 

RDS(on)是指在特定的漏電流（一般為ID電流的一半）、柵源電壓和25℃的情況下測得的漏-源電阻。

IDSS：零柵壓漏極電流 

IDSS是指在當柵源電壓為零時，在特定的漏源電壓下的漏源之間漏電流。已然漏電流跟著溫度的添加而增大，IDSS在室溫和高溫下都有規(guī)定。漏電流形成的功耗能夠用IDSS乘以漏源之間的電壓計算，一般這部分功耗能夠忽略不計。

IGSS - 柵源漏電流 

IGSS是指在特定的柵源電壓情況下流過柵極的漏電流。

動態(tài)電特性 

Ciss：輸入電容 

將漏源短接，用溝通信號測得的柵極和源極之間的電容便是輸入電容。Ciss是由柵漏電容Cgd和柵源電容Cgs并聯(lián)而成，或許Ciss = Cgs +Cgd。當輸入電容充電致閾值電壓時器件才能開啟，放電致必定值時器件才能夠關斷。因而驅動電路和Ciss對器件的開啟和關斷延時有著直接的影響。

Coss：輸出電容 

將柵源短接，用溝通信號測得的漏極和源極之間的電容便是輸出電容。Coss是由漏源電容Cds和柵漏電容Cgd并聯(lián)而成，或許Coss = Cds +Cgd關于軟開關的使用，Coss非常重要，由于它或許引起電路的諧振。

Crss：反向傳輸電容 

在源極接地的情況下，測得的漏極和柵極之間的電容為反向傳輸電容。反向傳輸電容等同于柵漏電容。Cres =Cgd，反向傳輸電容也常叫做米勒電容，關于開關的上升和下降時刻來說是其間一個重要的參數(shù)，他還影響這關斷延時時刻。電容跟著漏源電壓的添加而減小，尤其是輸出電容和反向傳輸電容。

Qgs,Qgd,和Qg：柵電荷 

柵電荷值反應存儲在端子間電容上的電荷，已然開關的瞬間，電容上的電荷隨電壓的改變而改變，所以規(guī)劃柵驅動電路時常常要考慮柵電荷的影響。

Qgs從0電荷開端到第一個拐點處，Qgd是從第一個拐點到第二個拐點之間部分（也叫做“米勒”電荷），Qg是從0點到VGS等于一個特定的驅動電壓的部分。

漏電流和漏源電壓的改變對柵電荷值影響比較小，而且柵電荷不隨溫度的改變。測驗條件是規(guī)定好的。柵電荷的曲線圖體現(xiàn)在數(shù)據(jù)表中，包含固定漏電流和改變漏源電壓情況下所對應的柵電荷改變曲線。在圖中渠道電壓VGS(pl)跟著電流的增大添加的比較?。ǜ娏鞯南陆狄矔陆担?。渠道電壓也正比于閾值電壓，所以不同的閾值電壓將會發(fā)作不同的渠道電壓。導通延時時刻是從當柵源電壓上升到10%柵驅動電壓時到漏電流升到規(guī)定電流的10%時所閱歷的時刻。

td(off)：關斷延時時刻 

關斷延時時刻是從當柵源電壓下降到90%柵驅動電壓時到漏電流降至規(guī)定電流的90%時所閱歷的時刻。這顯示電流傳輸?shù)截撦d之前所閱歷的延遲。

tr：上升時刻 

上升時刻是漏極電流從10%上升到90%所閱歷的時刻。

tf：下降時刻 

下降時刻是漏極電流從90%下降到10%所閱歷的時刻。

歡迎客戶選擇使用合芯半導體的MOS管。